南方科技大学是由中国广东省领导和管理、深圳市举全市之力创建的一所公办创新型大学,目标是迅速建成国际化高水平研究型大学,建成中国重大科学技术研究与拔尖创新人才培养的重要基地……

南方科技大学以学分制、导师制、书院制为基础,以人才培养的个性化、小班化、国际化为特色,通过为一流的人才培养体系,培养人格健全、基础扎实、能力突出、具有国际视野、社会责任感、创新精神和实践能力的高素质人才。

南方科技大学被确定为国家高等教育综合改革试验校。2012年4月,教育部同意建校,并赋予学校探索具有中国特色的现代大学制度、探索创新人才培养模式的重大使命。

南方科技大学对本科学生采用书院制管理模式,以书院、团委、社团等平台为载体,为学生营造了精彩的大学生活。

南方科技大学本科招生采用基于高考的综合评价录取模式,即高考成绩占60%,我校自主组织的能力测试成绩占30%(其中面谈成绩为5%),高中学业水平考试成绩占10%,按考生“631”综合成绩排名从高到低录取。综合评价录取模式由我校在2012年率先实施。

南科大教育基金会由理事会、监事会、秘书处组成。理事会是基金会的最高权力机构;监事会负责检查财务和会计资料,监督理事会遵守法律和章程的情况;秘书处是基金会常设办事机构,在理事会领导下负责基金会的日常工作。

学校党委切实履行党建工作职责,不断强化班子建设和基层党组织建设,充分发挥好党委对学校各项工作的核心统领作用和各党支部的战斗堡垒作用,切实开展组织统战和党风廉政建设各项工作。学校高度重视群团组织建设,充分调动全体师生员工积极性,维护教职工的合法权益,推进学校民主管理,促进学校健康发展,全力营造齐心协力、团结向上、奋发有为的干事创业氛围。

书院导师

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师资队伍

沈跃跃


副教授

物理系

0755-88018200

Shenyy@sustc.edu.cn

研究领域: 

◆运用正负电子的双光子湮灭技术对半导体材料结构进行无损伤缺陷研究,以及使用高分辨率电子显微镜对纳米半导体材料的微结构进行直接观察研究

 

教育经历: 

◆ 2003年,获得香港大学半导体专业博士学位;

◆ 1988年,获得南京大学固体物理专业硕士学位;

◆ 1985年,获得南京大学物理专业学士学位。

 

工作经历: 

◆ 2007年至2011年,香港城市大学物理及材料科学系,教学导师;

◆ 2004年至2006年,香港城市大学COSDAF研究中心;

◆ 1999年至2003年,香港大学物理系,研究员。

◆ 1989年至1991年,华侨大学物理系,讲师。

◆ 1996年至1997年,美国Washington State University,访问学者;

◆ 1994年至1996年,美国Brookhaven国家实验室,访问学者。

 

学习经历: 

◆ 2003年,获得香港大学半导体专业博士学位;

◆ 1988年,获得南京大学固体物理专业硕士学位;

◆ 1985年,获得南京大学物理专业学士学位。

 

代表性论文 : 

1. Y.Y.Shan, H.L.Au, B.K.Panda, S.Fung, C.D.Beling, Y.Y.Wang, and H.M.Weng, “Semi-insulating GaAs: A possible substrate for a field-assisted positron moderator” Appl. Phys. A 59, 259-273(1994).

2. Y.Y.Shan, B.K.Panda, S.Fung, and C.D.Beling, “Au/GaAs interface annealing study by positron-lifetime spectroscopy”, Phys. Rev. B 52, 4724-4727(1995).

3. B.K.Panda, Y.Y.Shan, S.Fung, and C.D.Beling, “Positron effective mass in silicon” , Phys. Rev. B 52, 5690-5694(1995).

4. Y.Y.Shan, C.C.Ling, H.L.Au, S.Fung, C.D.Beling, and Y.Y. Wang, “Positron Mobility and interface defect studies in semi-insulating GaAs using the lifetime technique”, Materials Science Form, Vols. 175, p.517-521(1995).

5. C.C.Ling, Y.Y.Shan, B.K.Panda, S.Fleischer, C.D.Beling, and S.Fung, “Doppler-broadening measurements of microvoids at the Au/GaAs interface”, Appl. Phys. A 60, 545-549(1995).

6. Y.Y.Shan, P. Asoka-Kumar, K.G.Lynn, S.Fung, and C.D.Beling, “Field effect on positron diffusion in semi-insulating GaAs”, Phys. Rev. B 54, 1982-1986(1996).

7. Cs. Szeles, Y.Y.Shan, K.G.Lynn, and E.E.Eissler, “Deep Electronic Levels in High-Pressure Bridgman Cd1-xZnxTe”, Nucl. Instr. and Meth., A 308, 148-152(1996).

8. Y.Y.Shan, K.G.Lynn, Cs.Szeles, P.Asoka-Kumar, T. Thio, J. W. Bennett, S.Fung, and C.D.Beling, “Metastability and microscopic structure of DX center in Cd0.8Zn0.2Te:Cl”, Materials Science Forum Vols. 255, p.506-508(1997).

9. Cs. Szeles, Y. Y. Shan, K. G. Lynn, and A. R. Mooderbaugh ,“Trapping properties of cadmium vacancies in Cd1-xZnxTe”, Phys. Rev. B 55, 6945-6949(1997).

10. Y.Y.Shan, C.C.Ling, A.H.Deng, B.K.Panda, C.D.Beling, and S.Fung, “EL2 deep level transient study in semi-insulating GaAs using positron lifetime spectroscopy”, Phys. Rev. B 55, 7624-7628(1997).

11. Y.Y.Shan, P. Asoka-Kumar, K.G.Lynn, S. Fung, and C.D.Beling, “Low-temperature positron transport in semi-insulating GaAs”, Phys. Rev. B 55, 9897-9903(1997).

12. Y.Y.Shan, Cs.Szeles, K.G. Lynn, T. Thio, P.Becla, and E.E.Eissler , “Study of DX centers in Cd0.8 Zn0.2Te:Cl by thermoelectric effect spectroscopy and positron annihilation spectroscopy”, Bull. Am. Phys. Soc. Vol. 41, No.1, 153(1996).

13. Y. Y. Shan, K. G. Lynn, Cs. Szeles, T. Thio, S. Fung, C. D. Beling, “The Microscopic Structure of DX Center in CdZnTe”, Materials Science Forum Vols. 255-257(1997) p.506-508

14. Y.Y.Shan, K.G.Lynn, Cs.Szeles, P.Asoka-Kumar, T. Thio, J. W. Bennett, S.Fung, and C.D.Beling, “Microscopic Structure of DX centers in Cd0.8Zn0.2Te:Cl”, Phys. Rev. Lett. 79, 4473-4476(1997).

15. Y.Y.Shan, A.H.Deng, C.C. Ling, C. D. Beling, S. Fung, and K. G. Lynn, “Study of DX center in Cd0.8Zn0.2Te:Cl by positron annihilation”, J. Appl. Phys. 84(4), 1889-1992(1998).

16. C. D. Beling, A.H.Deng, Y. Y. Shan, Y. W. Zhao, and S. Fung, “Positron lifetime study of compensation defects in undoped semi-insulating InP”, Phys. Rev. B 58, 13648-13656(1998)

17. C. D.Beling, W. Liming, Y.Y. Shan, S.H.Cheung, and S. Fung, “On the possible identification of defects using the autocorrelation function approach in double Doppler broadening of annihilation radiation spectroscopy”, Journal of Physics: Condensed Matter 10, 10475(1998)

18. H. Deng, Y. Y. Shan, M. Gong, C. C. Ling, S. Fung, and C. D. Beling, “Low temperature positron trapping in as-grown and electron-irradiated n-type 6H-SiC”, Materials Science Forum, 2000

19. Y. F. Hu, Y. Y. Shan, C. D. Beling, S. Fung, M. H. Xie, S. H. Cheung, J. Tu, G. Brauer, W. Anward and D. S. Y. Tong, “GaN thin films on SiC substrates studied using variable energy positron annihilation spectroscopy”, Materials Science Forum 2000

20. C.C.Ling, S.Fung, C.D.Beling, Y. Y. Shan, and A. H. Deng, “A Study of the electric field transient at the Au/GaAs contact under an alternating current square-pulse bias”, Journal of Physics: Condensed Matter  14, 13705(2002)

21. A, H. Deng, Y. Y. Shan, S. Fung, and C. D. Beling, “Application of positron annihilation lifetime technique to the study of deep level transients in semi-conductors” , J. Appl. Phys., 91, 3931 (2002).

22. Y. Y. Shan, A. H. Deng, Y. W. Zhao, C. C. Ling, S. Fung, C. D. Beling, N. T. Sun “Positron-annililation study of compensation defects in LEC-grown InP”, J. Appl. Phys,91, 1898(2002).

23. Y. K. Liu, J. A. Zapien, C. Y. Geng, Y. Y. Shan, C. S. Lee, Y. Lifshitz and S. T. Lee, “High-quality CdS nanoribbons with lasing cavity”, Appl. Phys. Letts. 85, 3241-3243 (2004).

24. Y. K. Liu, J. A. Zapien, Y. Y. Shan, C. Y. Geng, C. S. Lee and S. T. Lee, “Wavelength-control lasing in ZnxCd1-xS single-crystal nanoribbons”, Adv. Mater. 17, 1372-1377 (2005).

25. M. W. Shao, Y. Y. Shan, N. B. Wong and S. T. Lee, “Silicon nanowire sensors for bioanalystical applications: glucose and hydrogen peroxide detection”, Adv. Funct. Mater. 15, 1478-1482 (2005).

26. M. W. Shao, H. Yao, M. L. Zhang, N. B. Wong, Y. Y. Shan and S. T. Lee, “Fabrication and application of long strands of silicon nanowires as sensors for bovine serum albumin detection”, Appl. Phys. Letts. 87, 183106 (2005).

27. X. T. Zhou, T. K. Sham, Y. Y. Shan, X. F. Duan, S. T. Lee and R. A. Rosenberg, “One-dimensional zigzag gallium nitride nanostructures”, J. Appl. Phys. 97, 104315 (2005).

28.Q. Li, J. A. Zapien,Y. Y. Shan, Y. K. Liu and S. T. Lee, “Manganese doping and optical properties of ZnS nanoribbons by postannealing”, Appl. Phys. Letts. 88, 1-3 (2006).

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