南方科技大学是由中国广东省领导和管理、深圳市举全市之力创建的一所公办创新型大学,目标是迅速建成国际化高水平研究型大学,建成中国重大科学技术研究与拔尖创新人才培养的重要基地……

南方科技大学以学分制、导师制、书院制为基础,以人才培养的个性化、小班化、国际化为特色,通过为一流的人才培养体系,培养人格健全、基础扎实、能力突出、具有国际视野、社会责任感、创新精神和实践能力的高素质人才。

南方科技大学被确定为国家高等教育综合改革试验校。2012年4月,教育部同意建校,并赋予学校探索具有中国特色的现代大学制度、探索创新人才培养模式的重大使命。

南方科技大学对本科学生采用书院制管理模式,以书院、团委、社团等平台为载体,为学生营造了精彩的大学生活。

南方科技大学本科招生采用基于高考的综合评价录取模式,即高考成绩占60%,我校自主组织的能力测试成绩占30%(其中面谈成绩为5%),高中学业水平考试成绩占10%,按考生“631”综合成绩排名从高到低录取。综合评价录取模式由我校在2012年率先实施。

南科大教育基金会由理事会、监事会、秘书处组成。理事会是基金会的最高权力机构;监事会负责检查财务和会计资料,监督理事会遵守法律和章程的情况;秘书处是基金会常设办事机构,在理事会领导下负责基金会的日常工作。

学校党委切实履行党建工作职责,不断强化班子建设和基层党组织建设,充分发挥好党委对学校各项工作的核心统领作用和各党支部的战斗堡垒作用,切实开展组织统战和党风廉政建设各项工作。学校高度重视群团组织建设,充分调动全体师生员工积极性,维护教职工的合法权益,推进学校民主管理,促进学校健康发展,全力营造齐心协力、团结向上、奋发有为的干事创业氛围。

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师资队伍

邓辉


助理教授

机械与能源工程系

dengh@sustc.edu.cn

助理教授    博士生导师  

研究方向:原子尺度超精密抛光
E-mail:dengh@sustc.edu.cn

邓辉, 2016年2月毕业于日本大阪大学精密科学与技术专业,获得博士学位。之后加入新加坡制造技术研究院加工技术组,担任研究科学家(Research Scientist),展开等离子辅助加工,电化学机械抛光等课题的理论研究和工业应用。主持日本以及新加坡科研项目多项,在制造领域顶级杂志International Journal of Machine Tools and Manufacture以及CIRP Annals-Manufacturing Technology上发表论文多篇。共三次在国际生产工程科学院年会(CIRP General Assembly)上作口头报告(2013,2014,2015)。2014年获得由日本工作机械技术振兴协会颁发的工作机械技术振兴奖。2015年获得由中国留学基金委颁发的国家优秀自费留学生奖学金。2016年获得由国际光学工程学会(SPIE)颁发的Rudolf Kingslake Award。
 
 研究领域:
原子尺度超精密抛光,大气压等离子复合加工,电化学复合加工等。
 
教育及工作经历:

◆ 2016.02~   至    今     新加坡制造技术研究院加工技术组                        研究科学家
◆ 2013.04~2016.03      日本学术振兴会(JSPS)                                      特别研究员
◆ 2013.04~2016.03      大阪大学(日本),精密科学与技术专业              博士
◆ 2011.04~2013.03      大阪大学(日本),精密科学与技术专业              硕士
◆ 2010.08~2011.03      大阪大学(日本),超精密科学研究中心              实验助理
◆ 2006.09~2010.06       华中科技大学,机械设计制造及其自动化专业      学士
 
所获荣誉:

◆ 2016.09,  国际光学工程学会(SPIE)颁发的Rudolf Kingslake Award(排名第三)
◆ 2015.02,  中国留学基金委颁发的国家优秀自费留学生奖学金
◆ 2014.10,  第十届中日超精密加工国际会议(CJUPM2014)最佳报告奖
◆ 2014.06  日本工作机械技术振兴协会颁发的工作机械技术振兴奖(排名第一)
◆ 2014.05  日本马扎克财团(Mazak)颁发的杰出论文奖
◆ 2013.11,  日本磨粒技术协会颁发的最佳报告奖
◆ 2013.03,  第九届中日超精密加工国际会议(CJUPM2013)优秀学生奖
◆ 2012.09,  第十届加工技术进展国际会议(ICPMT2012)最佳报告奖
◆ 2011.11,  第四届亚洲精密工程与纳米技术国际会议(ASPEN2011)最佳论文奖
◆ 2011年-2013年:住友电工财团奖学金
 
代表性学术论文:
(1) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Damage-free finishing of CVD-SiC by a combination of dry plasma etching and plasma-assisted polishing, International Journal of Machine Tools and Manufacture 155 (2017) 38-46. (SCI, Q1)
(2) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Atomic-scale and pit-free flattening of GaN by combination of plasma pretreatment and time-controlled chemical mechanical polishing, Applied Physics Letter 107 (2015) 051602 1-4. (SCI, Q1)
(3) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Plasma-assisted polishing of gallium nitride to obtain a pit-free and atomically flat surface, CIRP Annals-Manufacturing Technology 64 (2015) 531-534. (SCI, Q1)
(4) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Competition between surface modification and abrasive polishing: a method of controlling the surface atomic structure of 4H-SiC (0001), Scientific Reports 5 (2015) 8947 1-6. (SCI, Q1)
(5) Hui Deng, K. Hosoya, Y. Imanishi, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Electro-chemical mechanical polishing of single-crystal SiC using CeO2 slurry, Electrochemistry Communications 52 (2015) 5-8. (SCI, Q1)
(6) Hui Deng, K. Monna, T. Tabata, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Optimization of the plasma oxidation and abrasive polishing processes in plasma-assisted polishing for high effective planarization of 4H-SiC, CIRP Annals-Manufacturing Technology 63 (2014) 529-532. (SCI, Q1)
(7) Hui Deng, Masaki Ueda and Kazuya Yamamura: Characterization of 4H-SiC (0001) surface processed by plasma assisted polishing, International Journal of Advanced Manufacturing Technology 72 (2014) 1-7. (SCI, Q2)
(8) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Comparison of thermal oxidation and plasma oxidation of 4H-SiC (0001) for surface flattening, Applied Physics Letter 104 (2014) 101608 1-5. (SCI, Q1)
(9) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Atomic-scale planarization of 4H-SiC (0001) by combination of thermal oxidation and abrasive polishing, Applied Physics Letter 103 (2013) 111603 1-4. (SCI, Q1)
(10) Hui Deng and Kazuya Yamamura: Atomically Flattening Mechanism of 4H-SiC (0001) in Plasma-assisted Polishing, CIRP Annals-Manufacturing Technology 62 (2013) 575-578. (SCI, Q1)
 
其他内容:
本课题组长期招聘博士后以及研究助理,招收联合培养博士以及硕士研究生,待遇优厚。欢迎对等离子复合加工以及电化学复合加工感兴趣的学生学者联系加盟。
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